Double Patterning Tech. 용 Materials
반도체 소자의 미세화에 따라 선폭이 감소하면서 30nm 이하 패턴 구현을 위한 EUV Lithography 장비의 개발이 진행되고 있으나,
아직 양산에 적용하기 어려워 기존 장비를 활용한 DPT(Double Patterning Technology) 공정을 도입하게 되었습니다.
DIPAS는 DPT 공정에 필요한 Etch 막으로 PR과 함께 Pattern 구현의 필수소재로 사용되고 있습니다.
| Product |
Structure |
Property |
MSDS |
| DIPAS |
 |
Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity |
: C6H17NSi
: 131.30g/mol
: 117℃
: 55℃/106torr
: Colorless liquid
: Violently react |
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| E2S2 |
 |
Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
|
: C8H22N2Si
: 174.40g/mol
: 188℃
: 25℃/0.795torr
: Colorless liquid
: Violently react
|
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