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Low-k

선폭의 미세화로 인해 Gate delay는 감소하는 반면, 배선공정의 미세화로 인하여 밀집된 Interconnection은 배선간의 정전용량(Capacitance, C)과 저항(Resistance, R)의 증가로 RC 지연효과가 크게 나타남으로 인해 Total Signal Delay Time이 증가하는 문제가 발생합니다. 따라서 소자의 고집적화, 고속화를 위해서는 RC delay를 최소화하는 것이 가장 중요하며 이를 위해서는 저항이 작은 도체의 개발과 낮은 유전율을 갖는 층간 절연물질 개발이 절실히 요구됩니다.

Low-k

Product Structure Property MSDS
DMTMDSO Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Density
Physical State/Color
Water Reactivity		 : C6H18O3Si2
: 194.38g/mol
: 139℃
: 0.9048g/ml
: Liquid/Colorless
: Slowly decompose
DMDMOS Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Density
Physical State/Color
Water Reactivity		 : C4H12O2Si
: 120.23g/mol
: 81.4℃
: 0.864g/ml
: Liquid/Colorless
: Slowly decompose
OMCTS Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor pressure
Density
Physical State/Color
Water Reactivity		 : C8H24O4Si4
: 296.62g/mol
: 175℃
: 21.7℃/1torr
: 0.955g/ml
: Liquid/Colorless
: Decomposition
TPOSL Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor pressure
Density
Physical State/Color
Water Reactivity		 : CH3CH2C(CH3)O)3SiOH
: 306.51g/mol
: 97℃/2.5torr
: 85℃/0.63torr
: 0.944g/ml
: Liquid/Colorless
: React slowly
TMCTS Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor pressure
Density
Physical State/Color
Water Reactivity		 : C4H16Si4O4
: 240.51g/mol
: 135℃
: 20℃/7torr
: 0.986g/ml
: Liquid/colorless
: React slowly