소자의 미세화에 따라, Insulator의 박막화에 따른 Tunneling 현상으로 Gate 누설전류가 급격히 증가하여, 더 이상 소자를 축소할 수 없게 되자
45nm 이하부터 I社에서 Insulator를 High-k 물질로 사용하기 시작했습니다. 이 때부터 사용한 High-k 물질은 Hf 계열의 Source로 업체마다 조금씩 다르며,
적용 공정 또한 조금씩 다릅니다. 현재는 Hf Source를 대체할 물질(Al, Zr, Ta, STO, BST 등)을 찾거나, Hf Source에 다른 물질을 추가하여
증착시키는 방법 등 여러가지 방향으로 연구되고 있습니다.
Insulator를 Metal 계열의 High-k로 바꾸면서 Gate 물질 또한 변화가 요구되어 기존의 Poly-silicon에서 Metal Gate로 변경하였습니다.
Product
Structure
Property
MSDS
TEMAHf
Molecular Formula
Molecular Weight
Boiling Point
Vapor Pressure
Physical State/Color
Water Reactivity
